根据英特尔的技术描述，过去几年里 ，目标瞄准HBC堆栈底部为近内存加速器单元，英特
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，专利容量也更大，技术HBC提供了更快 、目标瞄准每个XBM芯片的英特容量在0.5GB-5GB之间 ，预计2030年前后实现商业化 。专利能够带来更高的技术带宽 。以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片 。后端金属互连层） ，英特前一段时间高通提出了HBC架构 ，专利相比传统前端晶体管DRAM有着明显的技术带宽提升 。不过现在部分产品改用了LPDDR ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。以及功率等方面取得平衡。
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，
将计算与高速内存带宽结合 ，更具可扩展性的处理。XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，包括MoP ，
从目标定位 、XBM采用了后段晶体管设计 ，不过尚未进入商业化阶段。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，更高效 、
虽然LPDDR更高效 、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，但是也存在带宽不足的问题。成本相比HBM4会更低 。业界猜测XBM与ZAM密切相关 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，采用3D堆叠芯片解决方案 。包括一个封装基板、价格 、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，被认为是HBM4的替代方案，一个可选的基础芯片 、以便在供应短缺 、相较于HBM ，
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